Consciente de este escenario, Indra ha decidido fortalecer su papel no solo como integrador de sistemas, sino como actor clave en la producción de microchips de GaN. «La compañía ha estado fuertemente involucrada desde el año 2000 en distintos programas impulsados por la Comisión Europea, la Agencia Europea de Defensa (EDA) y el Ministerio de Defensa para dotar a Europa de capacidad de diseño y fabricación de estos componentes», explica Pascual. Un trabajo sostenido que busca anticiparse a las tecnologías de futuro y consolidar un ecosistema europeo en torno a la microelectrónica avanzada.
El movimiento más reciente en esta dirección ha sido la entrada de Indra como accionista de referencia en Sparc, la empresa que está levantando en Vigo la primera fábrica española especializada en este tipo de microcircuitos. Cuando esté operativa, España contará por primera vez con una planta capaz de producir chips de GaN para defensa, y Europa sumará su tercera factoría en esta categoría.
La relevancia industrial también es notable. Esta actividad de alto valor añadido requerirá personal altamente cualificado y generará un polo de innovación tecnológicamente avanzado. «Formará parte de un ecosistema europeo ligado a la alta tecnología», subraya Pascual, destacando el impulso económico y científico que supone este tipo de instalaciones.
Con Sparc Foundry, Europa refuerza la seguridad de su cadena de suministro de componentes críticos. En un mundo donde los semiconductores son piezas estratégicas –y en algunos casos, escasas–, controlar el proceso de producción se ha convertido en una prioridad continental.
El nitruro de galio pertenece a los llamados materiales de banda prohibida ancha. Esto significa que requiere mayor energía para liberar electrones, lo que se traduce en una capacidad superior para soportar campos eléctricos intensos sin romperse. «Aumentamos así la densidad de corriente, es decir, el volumen de electrones y su velocidad, que pueden moverse en el material», detalla Pascual.
La combinación de estas propiedades hace que el GaN sea ideal para trabajar en radiofrecuencia y fotónica, dos ámbitos esenciales para radares, comunicaciones militares, sistemas de interferencia y tecnologías de energía dirigida. Sus capacidades se potencian aún más cuando se deposita sobre un sustrato de carburo de silicio (SiC), que permite una mejor disipación térmica, imprescindible cuando estos sistemas operan a frecuencias elevadas y bajo estrés continuo, como sucede en un ataque por saturación. Por ello, no es casualidad que el mercado global prevea un crecimiento acelerado para esta tecnología. La demanda de GaN sobre SiC está llamada a aumentar a doble dígito en los próximos años, impulsada por la defensa, la aviación, las comunicaciones 5G/6G y los satélites.
Tras más de dos décadas de investigación y desarrollo, Indra se encuentra en una posición privilegiada para liderar este avance y contribuir a la autonomía tecnológica en el seno de la UE. El control de estos microchips no es solo una cuestión industrial, sino que es un elemento central de la capacidad de disuasión y defensa del continente.
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